4H-SiC 기판의 a-, c-, m-면방향에 따른 ZnO 나노선의 Photoluminescence 특성 분석 : Photoluminescence Characteristics of ZnO Nanowires Grown on a-, c- and m-plane Oriented 4H-SiC Substrates
Photoluminescence Characteristics of ZnO Nanowires Grown on a-, c- and m-plane Oriented 4H-SiC Substrates
- 주제(키워드) 4H-SiC , Substrate orientation , ZnO , Nanowire , Photoluminescence
- 발행기관 한국전기전자재료학회
- 발행년도 2012
- 총서유형 Journal
- UCI G704-000026.2012.25.5.007
- KCI ID ART001654007
- 본문언어 한국어
초록/요약
PLD를 이용하여 a-, c-, m- 면방향 4H-SiC 기판에 ZnO 박막을 증착하였다. 튜브 퍼니스를 이용하여 ZnO 나노선을 형성하였다. 나노선의 모양과 밀도를 SEM을 이용하여 측정하였다. 평균 표면 거칠기와 제곱 평균 표면 거칠기를 AFM으로 측정하였다. 광학적 특성은 Photoluminescence로 측정하였다. 나노선의 밀도는 a-,c-,m- 기판에 형성된 나노선의 순서로 17.89 μm-2, 9.98 μm-2 and 2.61 μm-2 이다.
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