Capping층 재료에 따른 CoFeB/MgO/CoFeB 자기터널접합의 미세구조와 자기저항 특성 : Microstructural and Magnetic Properties of CoFeB/MgO/CoFeB Based Magnetic Tunnel JunctionDepending on Capping Layer Materials
Microstructural and Magnetic Properties of CoFeB/MgO/CoFeB Based Magnetic Tunnel JunctionDepending on Capping Layer Materials
- 주제(키워드) 자기터널접합 , 터널링자기저항 , capping , MgO , CoFeB , magnetic tunneling junction , tunneling magnetoresistance , capping , MgO , CoFeB , magnetic tunneling junction , tunneling magnetoresistance , capping , MgO , CoFeB
- 발행기관 한국자기학회
- 발행년도 2007
- 총서유형 Journal
- UCI G704-000441.2007.17.4.003
- KCI ID ART001079346
초록/요약
본 연구에서는 CoFeB/MgO/CoFeB 구조를 가지는 자기터널접합에서 capping층 재료의 종류와 열처리 시간에 따른 비정질 top CoFeB 자성층의 결정화 상태 및 자기터널접합의 자기적 특성 변화에 대한 연구결과를 비교 분석 하였다. Hcp(Hexagonal close-packed)의 결정구조를 가지는 Ru(002)를 capping층 재료로 사용한 자기터널접합 박막의 경우에는 열처리 이후 Ru과 인접한 부분의 top CoFeB이 bcc-CoFe(110)으로 성장하는 반면, TiAl과 ZrAl을 capping층 재료로 사용한 자기터널접합의 경우는 열처리 이후 top CoFeB이 MgO와 epitaxial 하게 bcc-CoFe(002)로 결정성장 하였다. 이로 인해 Ru을 사용한 자기터널접합의 터널자기저항비(46.7 %)보다 약 1.5배 높은 터널자기저항비(TiAl: 71.8 %, ZrAl: 72.7 %)를 나타내었다.
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