플라즈마 산화시간과 열처리 조건에 따른 터널링 자기저항비의 온도의존특성에 관한 연구 : A Study on Temperature Dependence of Tunneling Magnetoresistance on Plasma Oxidation Time and Annealing Temperature
A Study on Temperature Dependence of Tunneling Magnetoresistance on Plasma Oxidation Time and Annealing Temperature
- 발행기관 한국자기학회
- 발행년도 2004
- 총서유형 Journal
- UCI G704-000441.2004.14.3.004
- KCI ID ART000931645
초록/요약
자기 터널 접합 (Magnetic Tunnel Junction, MTJ)의 플라즈마 산화시간과 열처리 온도에 따른 자기저항(Tunneling Magnetoresistance, TMR)의 온도의존특성을 연구하였다. 플라즈마 산화시간을 30 s 에서 70 s 까지 10 s 간격으로 변화시켜 측정한 결과, 산화시간 50초에서 상온에서 25.3 %의 가장 높은 TMR 비를 얻었다. 스핀 분극도 P0 와 스핀파 지수 (spin wave parameter) α 를 구한 결과, 산화시간 50 s에서 40.3% 의 가장 높은 스핀 분극도와 가장 낮은 온도 의존 특성인 (10±4.742)×10-6 K-1.5 의 스핀파 지수 (spin wave parameter) α 값을 얻었다. 그리고 온도별 열처리 결과 175 ℃ 에서 TMR 비가 25.3%에서 27.5% 까지 증가하였으며 스핀파 지수는 (10±0.719)×10-6 K-1.5 까지 감소하여 온도의존도가 감소하였다.
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