비휘발성 기억소자를 위한 Pt/SrBi(2)Nb(2)O(9)/Al(2)O(3)/Si 구조의 특성에 미치는 Al(2)O(3) 완층층의 효과
Effect of the Introduction of Al(2)O(3) Buffer Layer on the Characteristics of Pt/SrBi(2)Nb(2)O(9)/Al(2)O(3)/Si Structure for Non-Volatile Memory Devices
- 학과코드 D14
- 발행기관 고려대학교 대학원
- 발행년도 2002
- 학위구분 석사
- UCI I804:11009-000000186628
- 식별자(기타) DL:000001806861
- 식별자(기타) METS:000000189672
- 본문언어 한국어
- 서지제어번호 000000815767
