반응성이온 건식식각에 의한 실리콘 오염 및 손상 특성과 이의 제거에 관한 연구
Characterization of silicon contamination and damage caused by reactive ion etching and its removal
- 학과코드 D12
- 발행기관 고려대학교 대학원
- 발행년도 1992
- 학위구분 박사
- UCI I804:11009-000000177273
- 식별자(기타) DL:000015432435
- 식별자(기타) METS:000000202118
- 본문언어 한국어
- 서지제어번호 000000463079
목차
Abstracts = 4
목차 = 8
기호 = 10
제1장 서론 = 12
제2장 RIE식각 기구와 RIE에 의한 오염 및 손상 = 17
제3장 시료제작 및 실험 = 21
제4장 결과 및 고찰 = 30
1. RIE에 의한 식각 오염 및 손상특성 = 30
1.1 식각 오염 및 손상의 구조적 형태 = 30
1.2 식각 오염의 식각 파라미터 의존성 = 52
1) 반응가스 유량비 = 52
2) RF power = 56
3) 챔버압력 = 62
4) 하부 전극온도 = 65
5) 식각시간 = 70
6) 감광막 = 72
7) 패턴크기 = 73
2. 식각오염 및 손상의 식각후처리 의존성 = 80
2.1 열처리 의존성 = 80
1) 저항가열 = 80
2) 급속열처리 = 87
2.2 O₂ 플라즈마 처리 의존성 = 96
1) O₂ 플라즈마 처리 = 96
2) O₂ 플라즈마 처리시료의 습식세척 의존성 = 105
3) O₂ 플라즈마 처리시료의 급속열처리 효과 = 108
2.3 NF₃ 가스처리 효과 = 116
3. 식각후처리 시료의 따른 전기적 특성 변화 = 121
제5장 결론 = 128
참고문헌 = 132
부록 = 136
감사의 글 = 144
