화학증착법(CVD)을 통한 NiO박막 제조 및 Ru박막 제조 그리고 MIR FTIR분광법을 이용한 D2O 흡착 실험
- 주제(키워드) chemical vapor deposition , 화학증착법 , CVD
- 발행기관 고려대학교 대학원
- 지도교수 김윤수
- 발행년도 2013
- 학위수여년월 2013. 2
- 학위구분 석사
- 학과 일반대학원 소재화학과
- 원문페이지 50 p
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/korea/000000038408
- 본문언어 한국어
- 제출원본 000045745569
초록/요약
Nickel aminoalkoxide precursor, Ni(dmamb)2, [dmamb=1-dimethylamino-2-methyl-2-butanolate를 사용하여 MgO(100) 기질에 nickel oxide(NiO) 박막을 성장시켰다. 이 precursor는 상온에서 액체이며 75℃에서 0.213 Torr의 적당한 증기압을 가지므로 세게 가열하지 않아도 쉽게 증기로 변한다. 이 precursor가 CVD에 적합한지 알아보기 위해 열무게분석법(TGA)을 이용하여 물질의 열안정성을 측정하였다. 박막을 증착시킬 때 기질 온도 250-400°C에서 실험을 하였고 산소 원료로는 O2 가스를 사용하였다. 성장한 박막의 결정성과 조성의 분석을 위해 X-선 회절법(XRD)과 X-선 광전자분광법(XPS)을 사용했으며 표면 형태와 두께를 분석하기 위해 주사전자현미경법(SEM)을 사용하였다. 새로운 Ru 선구물질을 이용하여 Si(100) 기질에 Ru 박막을 성장시켰다. 새로 합성한 Ru 선구물질인 (η6-Ethylbenzene)(η4-ethyl-1,3-cyclohexadiene)ruthenium(0)과 (η6-Ethylbenzene)(η4-ethyl-1,4-cyclohexadiene)ruthenium(0)는 H-NMR을 이용하여 합성 여부를 판단하였다. 박막을 증착시킬때 기질 온도 400-450°C에서 실험을 하였다. 성장한 박막의 조성의 분석을 위해 X-선 광전자분광법(XPS)을 사용하였다. D2O 흡착 실험은 깨끗한 Si(001)2×1 표면에 Cl2 가스를 흡착시켜 표면을 포화시킨 후 D2O를 공급하여 표면을 –OD화하였다. 이를 IR을 통해 기존에 D2O만을 공급했을 때의 data와 비교, 분석하였다.
more목차
목차
요약 4
목차 5
List of figures 6
제1장 화학증착법(CVD)의 개요 8
1.1 기본 정의 9
1.2 CVD 공정 12
1.3 CVD 선구물질 16
1.4 CVD 장단점 17
1.5 참고 문헌 18
제2장 Nickel aminoalkoxide를 사용한 산화니켈(NiO) 박막의 CVD 19
2.1 서론 20
2.2 실험 22
2.3 결과 및 논의 24
2.4 결론 29
2.5 참고 문헌 30
제3장 Ru complex를 사용한 루테늄(Ru) 박막의 CVD 32
3.1 서론 33
3.2 실험 34
3.3 결과 및 논의 37
3.4 결론 39
3.5 참고 문헌 40
제4장 MIR FTIR분광법을 이용한 D2O 흡착 41
3.1 서론 42
3.2 실험 44
3.3 결과 및 논의 47
3.4 결론 49
3.5 인용 문헌 50
